2017年11月24日上午11:00，中南大学材料学院青年科协、粉末冶金国家重点实验室联合材料学院研究生会举办的青年学术沙龙第263场在特冶楼229顺利进行，材料科学与工程学院李志成教授等师生到场参加。

报告会题目为“氮化物垂直结构LED器件制造，半极性氮化物MOCVD生长”，汪炼成教授从氮化物LED研究背景、氮化物LED制造及等离子激元色彩打印展开论述。首先介绍了GaN的基本性质，第三代Ga半导体：信息化社会的基石，以及垂直结构LED相比传统的LED在光、热、电等方面具有的优势；从氮化物的研究背景引入垂直结构氮化物LED的制造工艺技术，包括金属接触、电流扩展、腐蚀技术等等。随后阐述了Ga极性InGaN/GaN多量子阱存在的问题，半极性GaN、AlGaN的MOCVD生长机制研究。报告结束后，汪炼成教授与在场师生进行了热烈的交流，细心回答了学生提出的问题，现场气氛十分活跃。

报告人简介

汪炼成，男，籍贯湖南，中国科学院大学，中国科学院半导体研究员所物理电子学博士，中南大学特聘教授，博士生导师。先后在中科院半导体谢菲尔德大学从事博士和博士后工作，是明德之星科技（北京）、明德优视科技公司的创始人和首席科学家，研究方向为半导体光电子器件系统，在面向发光、色彩、图像、显示应用的氮化物LED器件制造，金属等离子激元色彩打印，激光投影显示系统和氮化物材料生长方面有近10年的科研经历，参与国家863计划，基金委，新加坡国家基金会（NRF）和英国工程与物理科学研究理事会项目（EPSRC）等多项项目。迄今已在国际学术期刊，如ACS Photonics，Nano Energy，Appl. Phys. Lett.等发表学术论文60余篇，被Nature Materials Review等期刊引用，总引用次数约500余次；申请专利24项，授权专利13项。目前是IEEE会员，多个国际期刊，如Nanoscale，Nano Energy等的审稿人。工作多次被行业媒体如Compound Semiconductor，Semiconductor Today报道。

中南大学材料学院青年科协

粉末冶金国家重点实验室

中南大学材料学院研究生会