2014年10月28日下午4:00，中南大学材料学院“材子论坛”暨青年学术沙龙系列报告会第107场在特冶楼229学术报告厅顺利举行。

受魏秋平老师邀请，本次学术沙龙由中南大学2009届校友、美国田纳西大学刘培植博士做报告，报告主题分为《单原子层六方氮化硼中原子缺陷的直接表征》和《碳化硅/二氧化硅界面原子结构及其对电子迁移率的影响》两部分。报告会由江勇教授主持，吸引了材料学院陶辉锦、刘会群、魏秋平等老师在内的50余名师生到场参加。

报告中，刘培植博士介绍了与石墨烯具有相似结构的单原子层六方氮化硼（BN）以及这种材料在纳米电子器件中的应用前景，详细讲解了利用原子分辨率球差矫正扫描透射电子显微镜（STEM）观察到的单层氮化硼中的空位（VB, VN）、替代(NB)、位错、边界等缺陷，并通过密度泛函理论（DFT）计算，表明通过调控点缺陷能够使氮化硼从绝缘体变为半导体。刘博士还介绍了他在新一代高温高压高能电子器件基体—碳化硅方面的一些研究工作，利用原子分辨率电子显微镜和能量损失谱（EELS）手段确定了碳化硅/二氧化硅界面在原子级别上的粗糙度，构建了碳化硅/二氧化硅界面的三维原子构型，用精确的界面结构解释了碳化硅基器件电子迁移率降低的原因。 

刘培植博士前沿的研究方向、严谨的研究工作和精细的研究成果，开拓了同学们的视野，激发了大家的兴趣。报告结束后，他耐心回答了同学们的提问，并与在座师生进行了热烈的讨论。

报告人简介：
    刘培植，2009年中南大学获学士学位。在美国田纳西大学（University of Tennessee）和美国橡树岭国家实验室先进电子显微镜组（STEM Group, ORNL）Gerd Duscher教授课题组学习和研究。2014年田纳西大学获博士学位，主要研究方向为利用高分辨电子显微镜、球差矫正扫描透射电子显微镜和电子能量损失谱对半导体材料界面和二维材料（Graphene、BN等）原子结构、缺陷和光电性能进行表征和分析。获2014美国电子显微分析年会奖并做邀请报告。在JVSTA, M&M, ACS Nano,Diamond and Related Materials等国内外知名期刊上发表论文8篇。